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Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A60W,S4VX Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

TK5A60W,S4VX

Hersteller-Teilenummer: TK5A60W,S4VX
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Teil der Beschreibung: MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
Datenblätte: TK5A60W,S4VX.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 2579 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Teil-Nr.
Anzahl
Zielpreis(USD)

vorrätig: 2579

Anzahl Einzelpreis
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10+ $1.999
50+ $1.785
100+ $1.6065
250+ $1.428
500+ $1.2495
1000+ $1.0353
2500+ $0.9639
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  • ArtikelnummerTK5A60W,S4VX
  • HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
  • BeschreibungMOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus2579 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id3.7V @ 270µA
  • Vgs (Max)±30V
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-GehäuseTO-220SIS
  • SerieDTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs900 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)30W (Tc)
  • VerpackungTube
  • Verpackung / GehäuseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Betriebstemperatur150°C (TJ)
  • BefestigungsartThrough Hole
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 10V
  • Typ FETN-Channel
  • FET-MerkmalSuper Junction
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)600V
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C5.4A (Ta)
  • TK5A60W,S4VX Einzelheiten PDF [English]TK5A60W,S4VX PDF - EN.pdf
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